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文档 |
Multiple Devices 08/Apr/2011 |
产品更改通知 | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 25V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 26.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.6 mOhm @ 29A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 66nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4360pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.8W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 5-ICEPAK |
供应商器件封装 | 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.51(Max) |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 65000 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 2.6@10V |
最大漏源电压 | 25 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 5.05(Max) |
供应商封装形式 | ICEPAK E1-PAD |
包装长度 | 5.45(Max) |
PCB | 7 |
最大连续漏极电流 | 129 |
引脚数 | 7 |
铅形状 | No Lead |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 26.7A (Ta), 151A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.4V @ 250µA |
封装/外壳 | 5-ICEPAK |
供应商设备封装 | 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2.6 mOhm @ 29A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.8W |
标准包装 | 1,500 |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4360pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 66nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1500 |
RoHS | RoHS Compliant |
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