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厂商型号

NTMKE4891NT1G 

产品描述

MOSFET NCH ICEPAK 6.3X 4.9MM-E 25

内部编号

277-NTMKE4891NT1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
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美国费城
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NTMKE4891NT1G产品详细规格

文档 Multiple Devices 08/Apr/2011
产品更改通知 Product Obsolescence 08/Apr/2011
标准包装 1,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 25V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 26.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 2.6 mOhm @ 29A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 66nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4360pF @ 15V
功率 - 最大 2.8W
安装类型 Surface Mount
包/盒 5-ICEPAK
供应商器件封装 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
包装高度 0.51(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 65000
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 2.6@10V
最大漏源电压 25
每个芯片的元件数 1
包装宽度 5.05(Max)
供应商封装形式 ICEPAK E1-PAD
包装长度 5.45(Max)
PCB 7
最大连续漏极电流 129
引脚数 7
铅形状 No Lead
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 26.7A (Ta), 151A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.4V @ 250µA
封装/外壳 5-ICEPAK
供应商设备封装 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.6 mOhm @ 29A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.8W
标准包装 1,500
漏极至源极电压(Vdss) 25V
输入电容(Ciss ) @ VDS 4360pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 66nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1500
RoHS RoHS Compliant

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